बड़े AI data centers में बिजली की मांग बढ़ने के साथ power conversion उपकरणों को कम जगह में अधिक बिजली संभालनी पड़ती है। Renesas Electronics ने 30 सितंबर 2026 को TP65H020G4PLSGBD नाम का 650V Gallium Nitride (GaN) डिवाइस पेश किया। कंपनी ने इसे dual-side-cooled 8 × 8 mm पैकेज में उपलब्ध अपनी तरह का पहला डिवाइस बताया है, जिसे high-density 800V DC power architectures के लिए बनाया गया है।
छोटे पैकेज और दो तरफ से कूलिंग
इस डिवाइस का घोषित on-resistance 20 milliohms है। Dual-side cooling में गर्मी को पैकेज के ऊपर और नीचे दोनों तरफ से बाहर निकालने की व्यवस्था होती है। Renesas के अनुसार, इससे top-side thermal impedance 10% तक कम हो सकती है और 8 × 8 mm पैकेज का footprint पुराने 10 × 15 mm TOLT पैकेज से 57% छोटा है। ये आंकड़े कंपनी द्वारा बताए गए हैं।
डिवाइस को 800V high-voltage DC सिस्टम में intermediate bus converter के लिए लक्षित किया गया है, जहां बिजली को 48V, 12V या 6V स्तर तक कम किया जा सकता है। कंपनी ने battery backup और capacitor bank से जुड़े power stages का भी उल्लेख किया है।
AI इंफ्रास्ट्रक्चर के लिए क्यों अहम?
जैसे-जैसे server racks की बिजली क्षमता बढ़ती है, circuit board पर जगह और heat removal बड़ी चुनौती बनते हैं। अधिक switching frequency से कुछ power designs में passive components का आकार घट सकता है। Renesas ने बताया कि इस GaN डिवाइस को standard silicon gate driver से चलाया जा सकता है, जिससे कुछ डिजाइन में इसे अपनाना आसान हो सकता है।
कंपनी ने प्रमुख AI data center OEMs और ODMs को sampling शुरू करने की जानकारी दी है। बड़े पैमाने पर उत्पादन mid-2027 के लिए नियोजित बताया गया है, इसलिए इसे अभी व्यापक बाजार में उपलब्ध mass-production product नहीं समझना चाहिए। Renesas की आधिकारिक घोषणा पढ़ें।
आम सवाल-जवाब
1. TP65H020G4PLSGBD क्या है?
यह Renesas का 650V GaN पावर डिवाइस है। इसे उच्च वोल्टेज वाले power conversion सर्किटों, खासकर अगली पीढ़ी के AI data center architectures में बिजली प्रबंधन के लिए विकसित किया गया है।
2. Dual-side cooling क्या है?
इस तकनीक में डिवाइस से गर्मी ऊपर और नीचे दोनों तरफ से निकाली जाती है। इससे कुछ डिजाइन में ताप प्रबंधन बेहतर हो सकता है और अधिक पावर को छोटे क्षेत्र में संभालने में मदद मिल सकती है।
3. डिवाइस का पैकेज कितना छोटा है?
Renesas ने 8 × 8 mm PQFN पैकेज बताया है। कंपनी के अनुसार, इसका footprint पुराने 10 × 15 mm TOLT पैकेज से 57% छोटा है।
4. इसका उपयोग कहां होगा?
इसे 800V AI data center power architecture के DC/DC intermediate bus converter, battery backup और capacitor bank power stages जैसे उपयोगों के लिए लक्षित किया गया है।
5. यह बाजार में कब उपलब्ध होगा?
Renesas ने प्रमुख ग्राहकों के लिए sampling शुरू होने की जानकारी दी और mass production का लक्ष्य mid-2027 बताया। खरीद की वास्तविक उपलब्धता के लिए कंपनी से अपडेट लेना चाहिए।
निष्कर्ष
Renesas का 650V GaN डिवाइस AI data center power systems में अधिक compact और thermal-efficient डिजाइन की दिशा में एक कदम है। इसके घोषित लाभ उपयोगी हो सकते हैं, लेकिन उत्पादन उपलब्धता और सिस्टम परीक्षण से वास्तविक असर स्पष्ट होगा।
Disclaimer: यह लेख Renesas की सार्वजनिक घोषणा पर आधारित है। सभी तकनीकी दावे कंपनी के हैं और बदल सकते हैं।
